優(yōu)勢產(chǎn)品:燒結(jié)銀、無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,半燒結(jié)納米銀膏、納米銀墨水、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電銀漿、導(dǎo)電油墨、銀/氯化銀、納米銀漿、可拉伸銀漿、燒結(jié)銀膜、納米焊料鍵合材料、UV銀漿、光刻銀漿、UV膠、導(dǎo)熱絕緣膠、DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片、導(dǎo)電銀膜、銀玻璃膠粘劑,納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、高導(dǎo)熱銀膠、導(dǎo)電膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺,金屬技術(shù)平臺、樹脂合成技術(shù)平臺、同位合成技術(shù)平臺,粘結(jié)技術(shù)平臺等。
燒結(jié)銀與金錫焊料的性能對比的9大優(yōu)勢
在材料科學(xué)不斷演進的當(dāng)下,燒結(jié)銀與金錫焊料作為電子封裝、功率模塊等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料,其性能差異備受關(guān)注。以下從多個維度詳細(xì)剖析燒結(jié)銀相較于金錫焊料的比較優(yōu)勢:
1 燒結(jié)溫度:燒結(jié)銀通常小于 300 度,甚至有低至 150 度即可完成燒結(jié)的產(chǎn)品型號,如 AS9335。較低的燒結(jié)溫度可降低能源消耗,同時減少對被焊接器件的熱損傷風(fēng)險,尤其適用于對溫度敏感的芯片及精密電子元件。反觀金錫焊料,其燒結(jié)溫度在 310 - 330 度,較高的熔點限制了其應(yīng)用場景,當(dāng)芯片無法承受短暫高于 310℃的溫度時,金錫焊料便難以適用。
2 使用溫度:燒結(jié)銀AS9376的使用溫度上限高達(dá) 931 度,在高溫環(huán)境下能保持穩(wěn)定的物理化學(xué)性能,確保連接部位正常工作。而金錫焊料的較高使用溫度僅為 280 度,在高溫工況下,金錫焊料可能出現(xiàn)軟化、蠕變等問題,影響焊點的可靠性與連接強度。
3 導(dǎo)熱率:已知燒結(jié)銀的導(dǎo)熱率較高可達(dá) 300W/K.M(如 AS9376 型號),能高效傳導(dǎo)熱量,快速將芯片產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出,有效降低芯片工作溫度,提升電子設(shè)備的散熱效率與穩(wěn)定性。金錫焊料的導(dǎo)熱率僅為 60W/K.M,在大功率器件散熱方面,其導(dǎo)熱性能遠(yuǎn)不及燒結(jié)銀,難以滿足高功率密度下對散熱的嚴(yán)苛要求。
4 導(dǎo)電率:燒結(jié)銀的體積電阻低至 2.2×10??歐姆?厘米(如 AS9385 加壓燒結(jié)銀),電流傳輸效率高,可降低電阻帶來的能量損耗,提升電子系統(tǒng)的整體效能。金錫焊料的體積電阻為 16×10??歐姆?厘米,較高的電阻會導(dǎo)致電能在傳輸過程中部分轉(zhuǎn)化為熱能,造成能源浪費,且可能影響電子設(shè)備的信號傳輸質(zhì)量。
5 剪切強度:燒結(jié)銀表現(xiàn)出色,無壓燒結(jié)銀的剪切強度為 30 - 50MPA,有壓燒結(jié)銀更可達(dá) 100MPA,能在復(fù)雜的機械應(yīng)力環(huán)境下,維持良好的連接強度,**設(shè)備正常運行。金錫焊料的剪切強度在 30 - 60MPA,相對而言,在承受較大外力沖擊或振動時,其焊點連接的穩(wěn)固性稍遜一籌。
6 可靠性:實驗表明,燒結(jié)銀經(jīng)過 2000 次循環(huán)性能無衰減,在長期、頻繁的工作循環(huán)中,能始終保持穩(wěn)定的性能,確保設(shè)備可靠運行。金錫焊料僅 200 次循環(huán)就會出現(xiàn)性能衰減,在需要高可靠性、長壽命的應(yīng)用場景中,如航空航天、汽車電子等,金錫焊料的可靠性短板較為明顯。
7 兼容性:燒結(jié)銀兼容性良好,可與金、銀、銅等多種表面材質(zhì)實現(xiàn)可靠連接,適用范圍廣泛。金錫焊料的熔點在共晶溫度附近對成分極為敏感,當(dāng)被焊件的鍍金層較厚、焊盤較薄或焊接時間過長時,鍍金層中的金擴散進焊料,會導(dǎo)致熔點上升,影響焊接質(zhì)量與效果。
8 成本對比:燒結(jié)銀價格相對實惠,在大規(guī)模應(yīng)用時,能有效控制生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品競爭力。金錫焊料由于金、錫等貴金屬成分,價格昂貴,僅適用于對成本不敏感、對性能要求極高的高端芯片或器件領(lǐng)域,限制了其大規(guī)模普及應(yīng)用。
9 使用場景:憑借上述優(yōu)勢,燒結(jié)銀的使用場景更為寬泛,在半導(dǎo)體、醫(yī)療、汽車電子、航空航天等諸多領(lǐng)域皆能大顯身手。金錫焊料受限于高成本與特定性能,主要用于價格高昂、對性能有苛刻要求的芯片或器件封裝場景。
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